Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFET
英飞凌CoolSiC ™ 750V G1 MOSFET具有卓越的性能、可靠性和稳健性。 英飞凌CoolSiC 750V G1具有灵活的栅极驱动功能，可实现简化、经济高效的系统设计。 这些MOSFET可优化效率和功率密度。
特性
- 高度稳健的750V技术
- 同类最佳的RDS(on) xQfr
- 出色的Ron xQoss 和Ron xQG
- 低Crss/Ciss，高VGSth
- 100% 经雪崩测试
- 英飞凌裸芯连接技术
- 硬开关的卓越效率
- 实现更高的开关频率
- 更高可靠性
- 可承受超过500V的总线电压
- 抗寄生导通的稳健性
- 单极驱动
应用
- 固态继电器 (SSR)
- 固态断路器 (SSCB)
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 储能系统
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发布日期: 2024-03-14
| 更新日期: 2024-09-30