Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V
Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺，应用损耗极低，运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。
Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V采用TO-247 3引脚、TO-247 4引脚和D2PAK 7引脚封装类型。
受益于。XT互连技术采用CoolSiC™ MOSFET分立式封装，可提高系统功率密度。Infineon的扩散焊接工艺可在芯片和散热片之间实现强大的热连接，因此散热性能提高了30%，工作温度降低了15K，延长了使用寿命。
特性
- 换向稳健的快速体二极管具有低反向恢复电荷 (Qrr)
- 更高电流下优化的开关行为
- 低电容
- 领先的沟槽技术，具有出色的栅极氧化物可靠性
- ）。XT互连技术，实现同类最佳的散热性能
- 出色的雪崩耐受能力
- 搭配标准驱动器
- 更高电流下优化的开关行为
- 高性能、高可靠性且简单易用
- 可实现高系统效率和功率密度
- 降低系统成本和复杂性
- 可实现更便宜、更简单、更小的系统
- 采用具有连续硬换向功能的拓扑结构
- 适合高温和恶劣工作环境
- 支持双向拓扑结构
应用
- 服务器
- 电信
- SMPS
- 太阳能系统
- 储能
- 电池形成
- UPS
- EV充电
- 电机驱动器
框图
开发工具
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发布日期: 2022-07-18
| 更新日期: 2025-04-15