CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

结果: 53
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,165库存量
1,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
731库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
725库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
737库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
155库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
数据表
145库存量
2,000预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
86库存量
240预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
218库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
2,073库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,914库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,992库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
5,088库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,845库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,868库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,756库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,899库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
511库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,178库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
数据表
364库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
数据表
980库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
数据表
285库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
数据表
456库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC