Infineon Technologies EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块
英飞凌 EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块将第二代CoolSiC沟槽MOSFET与低电感Easy C系列平台和XT互连技术相结合。这些英飞凌模块在电源循环过程中可提供超低开关损耗、更严格的寄生控制以及更高的稳健性。坚固耐用的PressFIT引脚、集成NTC传感、集成安装夹具和高CTI绝缘简化了组装并支持苛刻的任务要求。该系列产品提供四封装（F4）和三电平（F3）拓扑结构，并提供8mΩ和13mΩ电阻等级，以帮助用户提高切换频率、缩小磁性元件尺寸并提升功率密度，同时保持EMI性能和热裕度。
特性
- 1200V CoolSiC MOSFET M2沟槽技术，导通损耗和开关损耗降低
- 易包装C系列低电感模块架构，可最大限度地减少振铃、过冲和EMI
- 效率和频率裕度更高 - 低EON/EOFF和低杂散电感可实现更干净的瞬态和更小的磁性元件，而不会牺牲性能
- 设计寿命 - XT互连技术增强了机械和热稳定性，从而可提高功率循环能力并拓宽工作温度范围。
- 8mΩ和13mΩ电阻等级
- 可预测的控制和保护 - CoolSiC Gen2栅极氧化层的改进和集成NTC温度传感技术支持在整个温度范围内实现稳定的性能
- 无需焊接，可重复组装 - PressFIT端子和集成式安装夹可加快生产速度并提高机械可靠性。
- 可扩展平台 - 四封装和三电平型号中一致的Easy 2C占位面积和引脚设计理念简化了布局重用和升级。
- 高CTI绝缘，针对1200V应用优化爬电距离/间隙
- 宽安全工作区域和工业级资格
应用
- 电动汽车DC快速充电和工业DC充电器（PFC和DC/DC级）
- 高频隔离式和非隔离式DC/DC转换器（LLC、PSFB及类似转换器）
- 太阳能/ESS串式逆变器和三电平NPC/T型级
- UPS和高性能工业电源
- 工业驱动器和辅助牵引转换器
相关MOSFET模块
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块
采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块
采用NTC和PressFIT触点技术，具有高电流密度和低电感设计。
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| 物料编号 | 数据表 | If - 正向电流 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | 典型接通延迟时间 | 典型关闭延迟时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 |  |
50 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 48 ns |
| F48MXTR12C2M2H11BPSA1 | |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 52.8 ns |
| F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
55 A | 100 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 46.1 ns |
| F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 39 ns |
发布日期: 2026-04-17
| 更新日期: 2026-04-21