Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块
英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块 采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V 漏源电压下工作，具有低电感设计，开关损耗低，电流密度高。EasyPACK™模块采用坚固的安装结构，集成了安装夹，并采用CTI >600的封装。典型应用包括电动汽车的高频开关设备、DC/DC转换器和DC充电器。
凭借Easy 2C™系列，英飞凌利用尖端的SiC G2技术和先进的XT功能革新大功率设计，为苛刻的应用提供卓越的性能。创新的XT技术提供了增强的坚固性和扩展的工作温度范围，而第二 SiC MOSFET技术则提供了改进的门氧化物可靠性和降低的导通电阻。
特性
- 第二代SiC G2 MOSFET技术具有改进的门氧化物可靠性
- Easy 2C™外壳
- 增强XT技术可实现扩展温度操作和卓越的坚固性
- 超低的开关损耗，可实现高达MHz范围的高频操作
- 1200V VDSS额定值，具有出色的电流处理能力
- 先进的热界面，集成了NTC温度传感器和优化的底板设计
- 低电感封装设计，最大限度地减少寄生效应和EMI
- PressFIT接触技术，实现可靠的无焊连接
- 一体的安装夹确保牢固的机械组装
- CTI >600封装等级，具有增强的爬电距离和电气间隙性能
- 高电流引脚配置，针对电力应用进行了优化
- 宽安全工作区域 (SOA)，提供设计灵活性与故障容限
- 符合IEC 60747、60749和60068测试协议的工业标准
应用
- 高频开关器件
- DC/DC转换器
- 电动汽车直流充电器
视频
电路图
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Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块
采用NTC和PressFIT触点技术，具有高电流密度和低电感设计。
发布日期: 2025-09-30
| 更新日期: 2025-12-12