英飞凌REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板设计用作子板,可在TO-247 3/4引脚评估平台中安装1200V CoolSiC MOSFET。用户可以通过在评估平台上安装参考子板,进行双脉冲测试,以评估CoolSiC MOSFET的性能和无芯隔离式栅极驱动器。
特性
- 两个子板均采用绝缘金属基板 (IM),其具有出色的导热能力
- 得益于IM板类型,所有元件均为表面贴装器件 (SMD)
- 爬电距离至少为4mm,确保800VDC总线电压下安全运行
框图
元件布局
发布日期: 2021-04-14
| 更新日期: 2022-03-11

