Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP板

英飞凌科技REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板支持用户评估采用D2Pak封装的1200V CoolSiC™ MOSFET(带无芯隔离栅极驱动器)。REF_SiC_D2Pak_MC板采用具有米勒钳位功能的1EDC20I12MH。REF_SiC_D2Pak_BP板采用1EDI20H12AH,具有双极电源和独立的拉电流/灌电流输出。

英飞凌REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板设计用作子板,可在TO-247 3/4引脚评估平台中安装1200V CoolSiC MOSFET。用户可以通过在评估平台上安装参考子板,进行双脉冲测试,以评估CoolSiC MOSFET的性能和无芯隔离式栅极驱动器。

特性

  • 两个子板均采用绝缘金属基板 (IM),其具有出色的导热能力
  • 得益于IM板类型,所有元件均为表面贴装器件 (SMD)
  • 爬电距离至少为4mm,确保800VDC总线电压下安全运行

框图

框图 - Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP板

元件布局

Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP板
发布日期: 2021-04-14 | 更新日期: 2022-03-11