Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 IGBT
英飞凌TRENCHSTOP™5 IGBT是下一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极型晶体管），与目前其他领先的IGBT相比，传导和开关损耗大幅降低。TRENCHSTOP 5是针对开关频率高于10kHz的应用而设计。晶圆厚度减少25%以上，大幅改善了开关及传导耗损，更将击穿电压提高到了650V。性能提升幅度惊人，为设计人员开启了新的探索机会。
特性
- 650V击穿电压
- 与“HighSpeed 3”系列相比：
- Qg因数降低了2.5倍
- 开关损耗因数降低了2倍
- VCE(sat)降低了200mV
- 结合了英飞凌科技的全新“Rapid”硅二极管技术
- 低Coss/Eoss
- 溫和的正温度系数VCE(sat)
- 在不影响可靠性的情况下，总线电压有可能增加50V
- VF的温度稳定性
- 一流的效率，降低了接合处和外壳温度，提高了器件可靠性
- 更高的功率密度设计
应用
- PFC + PWM技术应用于：
- 焊接
- UPS
- 太阳能
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发布日期: 2012-12-07
| 更新日期: 2025-10-01