Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
Littelfuse IXSJxN120R1 1200V碳化硅 (SiC) 功率MOSFET是为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。Littelfuse IXSJxN120R1功率MOSFET利用SiC技术的优异性能，实现低开关损耗、高效率和出色的热性能。IXSJ25N120R1的典型RDS(on)为80mΩ，针对较低电流应用进行了优化，而IXSJ43N120R1和IXSJ80N120R1分别具有45mΩ和20mΩ导通电阻值，支持更高的电流处理能力。所有三款设备均具有快速开关速度、强大的雪崩能力以及用于改善 栅极驱动控制的开尔文源引脚。这些特点使得IXSJxN120R1系列非常适合用于电动汽车逆变器、太阳能逆变器、工业电机驱动器和高效电源。
特性
- 最高可达1200V的阻断电压，低RDS(on) 选项为18mΩ、36mΩ或62mΩ
- 低栅极电荷选项（52nC、79nC或154nC）
- 低输入电容选项（1498pF、2453pF或4522pF）
- 灵活的栅极电压范围（15V至18V）和推荐的0V栅极关断电压
- 低导通损耗和减少的热耗散
- 低栅极驱动器功率要求
- 支持高速开关，降低栅极驱动器损耗
- ISO247-3L 封装
- 高性能陶瓷基隔离封装可提高整体热阻Rth(jh) 和功率处理能力
- 2500VAC (RMS) 隔离电压，持续1分钟
- 芯片与散热器之间的寄生电容较小，从而降低了EMI
- 业界标准封装外形
应用
- 电动汽车 (EV) 充电基础设施
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机驱动器
- DC/DC转换器
- 电池充电器
- 感应加热
- 高频应用
数据手册
- IXSJ25N120R1 1200V、62mΩ、28A SiC功率MOSFET
- IXSJ43N120R1 1200V、36mΩ、45A SiC功率MOSFET
- IXSJ80N120R1 1200V、18mΩ、85A SiC功率MOSFET
引脚分配图
相关MOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
高达1200V的阻断电压，具有18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。
发布日期: 2025-06-17
| 更新日期: 2026-01-06