Microchip Technology 碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比,Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

特性

  • 低电容和低栅极电荷
  • 良好的动态性能和热性能
  • 快速开关速度
  • 在175°C结温下稳定工作
  • 快速、可靠的体二极管
  • 高雪崩耐受性
  • 效率高,开关损耗低
  • 易于驱动
  • 无需外部续流二极管
  • 较低系统成本
  • 符合AEC-Q101标准

应用

  • 执行系统
  • 汽车
  • 商业航空
  • 集成车辆系统
  • 医学成像
  • 电机控制
  • 光伏解决方案
  • 动力传动系统和电动汽车充电
  • 遗产安全
  • 无人机 (UAV)
发布日期: 2019-06-03 | 更新日期: 2025-07-31