Microchip Technology 碳化硅 (SiC) 解决方案

Microchip Technology碳化硅 (SiC) 解决方案提供各种创新选项，可提高系统效率、减小外形尺寸并提高工作温度。应用包括工业、运输/汽车、医疗、航空航天/航空、国防和通信产品。这些下一代碳化硅MOSFET和碳化硅SBD具有额定导通电阻或电流下更高的重复无钳位电感开关 (UIS) 能力。Microchip Technology的碳化硅MOSFET保持高UIS能力，每平方厘米焦耳数 (J/cm²) 约10至25，并具有强大的短路保护功能。Microchip碳化硅肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流下具有均衡浪涌电流、正向电压、热阻和热电容额定值，可降低开关损耗。此外，Microchip Technology的SiC MOSFET和SiC SBD裸片可以组合在一起，方便在模块中使用。Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD产品将符合AEC-Q101标准。