Nexperia BSH205G2 20V P 沟道沟槽式 MOSFET
恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装式 (SMD)塑料封装的增强模式场效应晶体管(FET)。它采用沟槽式 MOSFET 技术， 提供低阈值电压并可以快速开关。MOSFET 适合运用于 继电器驱动器、高速线路驱动器及开关电路等应用中。
The Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is AEC-Q101 qualified and suitable for use in automotive applications.
特性
- AEC-Q101 qualified
- Enhanced power dissipation capability of 890mW
- Trench MOSFET technology
- Low on-state resistance
- Low threshold voltage
- -55°C to 150°C ambient temperature range
- SOT23 (TO-236AB) package
应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
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| 物料编号 | 数据表 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Id-连续漏极电流 | 最大工作温度 |
|---|---|---|---|---|
| BSH205G2AR |  |
900 mV | 2.6 A | + 175 C |
| BSH205G2R | |
450 mV | 2.3 A | + 150 C |
| BSH205G2VL | |
950 mV | 2.3 A | + 150 C |
发布日期: 2015-03-10
| 更新日期: 2022-11-28