onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块

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安森美半导体NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块具有三个通道、更高输出功率和易于安装的模块。每个通道包含两个1000 V、100 A IGBT、两个1200 V、30 A SiC二极管和两个1600 V、30 A旁路二极管。Q2BOOST模块具有出色的效率和热损耗，可灵活支持不同制造工艺。

与其他1200V IGBT解决方案相比，安森美半导体NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块的输出功率更高。Q2BOOST模块包含一个NTC热敏电阻。