太阳能逆变器
太阳能发电模块是一种用于获得可再生能源的最常见的商用级和消费级选择。将可变电源集成到标准化电网中,是获取这种可再生能源所面临的一项挑战。太阳能逆变器在将直流太阳能电池板整流为交流电网方面发挥着至关重要的作用。除了高效的交流/直流转换,太阳能逆变器通常用于监测光伏二极管的非线性响应,以确保产生最大功率。安森美提供完整的解决方案,设计用于检测、保护和控制从电池到电网的电能。
不间断电源 (UPS)
不间断电源对于时间和数据依赖型数字网络至关重要。计算分析、数据存储和分配、电信系统甚至选定的城市均取决于由UPS决定的恒定电源。这些保护性电源通常集成到电源流中。这样即可确保电池或其他存储设备始终处于监控和通电状态,以便在发生系统故障时UPS可提供全力支持。要实现这种监控、充电和交流/直流整流功能,则需要不仅能够提供所需支持,而且还可在大电流状态下高效工作的硅。安森美提供完整的高能效解决方案,无论是否存在电源故障,均可以控制和转换电源。
电动汽车充电
电动汽车充电站是电动汽车基础设施构成中最重要的组成部分。与太阳能转换或备用电源不同,电动汽车充电站更加侧重于应用的广泛性。这些充电站需要能够以标准化的方式进行通信和电力传输,以实现广泛的适应性和用途。除了需要应对快速充电和高效交流/直流整流方面的复杂性,电动汽车充电站还需要具备面向终端用户的安全和交互特性。安森美提供完整的解决方案,旨在实现对电动汽车的快速、无缝的电力传输。
大电流栅极驱动器
安森美NCD570x绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 栅极驱动器是大电流、高性能器件,设计用于各类大功率应用,如太阳能逆变器、电机控制和不间断电源 (UPS)。这些栅极驱动器高度集成,通过消除诸多外部元件并集成各类保护特性,提供了经济高效的解决方案。
电流检测放大器
电流消耗监测提供了有助于系统安全和诊断功能的关键信息。安森美不但可提供经济高效的独立运算放大器,还可提供集成外部电阻的电流检测放大器,从而打造具有更高精度、尺寸更小的解决方案。
650V和1200V IGBT
安森美650V和1200V绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用稳健的高性价比超级场终止型沟槽结构,具有低导通电压和最小开关损耗,可在苛刻的开关应用中提供卓越的性能。
650V SuperFET III MOSFET
安森美650V SuperFET III系列采用高性能超级结MOSFET,专门设计用于实现高功率密度。SuperFET III技术具有同类最佳FOM和Eoss,与先前的业界领先技术相比,将RDS(ON) 降低了40%以上(采用相同封装尺寸)。这样,产品设计人员即可利用更小的封装尺寸或相同占位中的更高功率。SuperFET III具有坚固的体二极管和良好平衡的开关特性。
100V和150V PowerTrench MOSFET
这些MOSFET采用安森美先进的PowerTrench®工艺(集成了屏蔽栅极技术)制造而成。这些器件集硅与Dual Cool™封装技术的先进特性于一身,不仅具有最低的rDS(on),而且还可以通过极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
智能功率模块 (IPM)
安森美面向能源基础设施应用的功率模块可提供全功能、高性能的升压PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动以最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供了多种模块内保护特性,包括欠压闭锁、过流关断、热监测和故障报告。
功率集成模块 (PIM)
功率集成模块利用安森美在汽车点火IGBT和智能功率模块 (IPM) 开发方面的丰富经验以及封装专业技术制造而成,可提供完全符合最高行业标准的电源解决方案。此外,安森美模块解决方案可为客户提供针对硅和封装的完全集成供应链,以确保高质量和成本效益。
NXH80B120L2Q0SG是一款包含一个双升压级的电源模块,由两个40A/1200V IGBT、两个15A/1200V碳化硅二极管以及两个用于IGBT的25A/1600V反相并联二极管组成。该器件设有两个额外的25A/1600V旁路整流器,用于浪涌电流限制。该器件设有一个板载热敏电阻。
碳化硅二极管
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新硅技术,可提供出色的开关性能和更高的可靠性。碳化硅器件具有无反向恢复电流、温度独立的开关特性及出色的热性能等特性,因此成为下一代功率半导体的最佳选择。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

