onsemi 40V功率MOSFET
安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。 安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗
- 低Qrr 与软恢复，可最大限度减少ERR损耗和电压尖峰
- 低Qg 与低电容，可最大限度减少驱动损耗与开关损耗
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 高开关频率直流-直流转换
- 同步整流
框图
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| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|
| NTMFS0D4N04XMT1G |  |
40 V | 509 A | 420 uOhms |
| NTMFS0D5N04XLT1G | |
40 V | 455 A | 490 uOhms |
| NTMFS0D6N04XMT1G | |
40 V | 380 A | 570 uOhms |
| NTMFS0D9N04XLT1G | |
40 V | 278 A | 900 uOhms |
| NTMFS1D1N04XMT1G | |
40 V | 233 A | 1.05 mOhms |
| NTMFS1D3N04XMT1G | |
40 V | 195 A | 1.3 mOhms |
| NTMFS2D3N04XMT1G | |
40 V | 111 A | 2.35 mOhms |
| NTMFS2D5N08XT1G | |
80 V | 181 A | 2.1 mOhms |
| NTMFS3D5N08XT1G | |
80 V | 135 A | 3 mOhms |
| NTMFS0D5N04XMT1G | |
40 V | 414 A | 520 uOhms |
发布日期: 2024-01-16
| 更新日期: 2025-09-30