onsemi J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器
安森美半导体J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器优化用于高性能定时应用,如ToF-PET(飞行时间正电子发射断层扫描)。得益于增加的微电池密度,J系列传感器可以实现50%的光子探测效率 (PDE),并且灵敏度可以扩展至UV级。这些传感器具有业界领先的暗计数率(低至50kHz/mm
2),由于采用大容量CMOS硅工艺,因此具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。J系列传感器有3mm、4mm和6mm尺寸可供选择,采用TSV芯片级封装,与行业标准无铅笔回流焊接工艺兼容。J系列传感器还采用了安森美半导体独特的快速输出,可实现快速定时功能。
特性
- 高密度微电池
- J系列传感器采用安森美半导体独特的快速输出端子
- 21.5mV/°C的温度稳定性
- 出色的击穿电压均匀性 (±250mV)
- 采用兼容回流焊的TSV芯片级封装
- 50kHz/mm2(典型值)的超低暗计数率
- 优化用于ToF-PET等高性能定时应用
- 传感器尺寸:3mm、4mm和6mm
- <30V的偏置电压
- 420nm处具有50%的光子探测效率 (PDE)
- 改善了信号上升时间和微电池恢复时间
- 无需有源电压控制
- 业界领先的均匀性
- TSV封装实现了几乎为零的死区,可打造高填充因子阵列,并且不含铁金属
Associated Product
具有高增益、快速定时和出色的PDE,以及SST相关的实际优势。
相关开发工具
便于评估J系列SiPM传感器的印刷电路板 (PCB)。
内置TSV传感器,设有通孔引脚,可与标准插座或探针夹一起使用。
发布日期: 2018-11-16
| 更新日期: 2023-01-27