onsemi J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器

安森美半导体J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器优化用于高性能定时应用,如ToF-PET(飞行时间正电子发射断层扫描)。得益于增加的微电池密度,J系列传感器可以实现50%的光子探测效率 (PDE),并且灵敏度可以扩展至UV级。这些传感器具有业界领先的暗计数率(低至50kHz/mm2),由于采用大容量CMOS硅工艺,因此具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。J系列传感器有3mm、4mm和6mm尺寸可供选择,采用TSV芯片级封装,与行业标准无铅笔回流焊接工艺兼容。J系列传感器还采用了安森美半导体独特的快速输出,可实现快速定时功能。

特性

  • 高密度微电池
  • J系列传感器采用安森美半导体独特的快速输出端子
  • 21.5mV/°C的温度稳定性
  • 出色的击穿电压均匀性 (±250mV)
  • 采用兼容回流焊的TSV芯片级封装
  • 50kHz/mm2(典型值)的超低暗计数率
  • 优化用于ToF-PET等高性能定时应用
  • 传感器尺寸:3mm、4mm和6mm
  • <30V的偏置电压
  • 420nm处具有50%的光子探测效率 (PDE)
  • 改善了信号上升时间和微电池恢复时间
  • 无需有源电压控制
  • 业界领先的均匀性
  • TSV封装实现了几乎为零的死区,可打造高填充因子阵列,并且不含铁金属

应用

  • 医学影像
  • 危险与威胁
  • 3D测距和传感
  • 生物光子学与科学
  • 高能物理
发布日期: 2018-11-16 | 更新日期: 2023-01-27