onsemi M2 EliteSiC MOSFET
安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。
特性
- 电压：650V、750V和1200V
- 封装：D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LD
- 最大栅极-源极电压：+22V/-8V
- 低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）
- 经优化后，RDS(on) 最小，适用于低切换速度应用
- 可用于替代SuperFET™
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发布日期: 2023-04-04
| 更新日期: 2024-08-29