onsemi NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET采用低Q_RR和软恢复体二极管，从而可降低开关损耗。NTMFWS1D5N08X器件的R_DS(on) 低，可将导通损耗降至最低，确保高效运行。此外，其低Q_G和电容有助于将驱动器损耗降至最低。安森美 (onsemi) NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET无铅，无卤素，无BFR，以及符合RoHS标准。