onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET

安森美（onsemi）NVMYS3D8N04CL功率MOSFET是一款单N沟道MOSFET，设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该功率MOSFET的漏极-源极电压为40V，漏极电阻为3.7mΩ，连续漏极电流为87A。NVMYS3D8N04CL N沟道MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。该器件无铅，符合RoHS指令。NVMYS3D8N04CL非常适用于电池反向保护电源开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。