onsemi NVXK2TR40WXT碳化硅(SiC)模块
安森美 (onsemi) NVXK2TR40WXT碳化硅(SiC)模块是一款1200V、40mΩ、27A双半桥EliteSiC电源模块,采用APM32双列直插式封装(DIP)。 该SiC模块设计紧凑,总模块电阻较低。NVXK2TR40WXT电源模块已通过AEC-Q101和AQG324车规级认证。 该电源模块不含铅,符合RoHS和UL94V-0标准。NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET电源模块是xEV应用中DC-DC转换器与车载充电器的理想选择。
特性
- DIP碳化硅 (SiC) 双路半桥电源模块
- 漏源电压(VDSS):1200V
- 连续漏极电流(ID):27A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):40mΩ(典型值)
- 工作结温范围(TJ):-55°C至175°C
- 爬电距离和电气间隙符合IEC60664-1和IEC 60950-1标准
- 设计紧凑,实现低模块总电阻
- 模块串行化,实现完全可追溯性
- 无铅
- 符合RoHS指令和UL94V-0标准
- 符合AEC-Q101和AQG324的汽车级标准
应用
- 用于EV-PHEV的HV DC/DC和车载充电器
- 适用于EV-PHEV的11kW至22kW车载充电器
相关模块
1200V、80mΩ 和20A双路半桥EliteSiC电源模块,采用双列直插封装 (DIP)。
1200V、80mΩ 和31A全桥电源模块,采用双列直插封装 (DIP)。
1200V、40mΩ 和55A三相桥式电源模块,采用双列直插封装 (DIP)。
1200V、80mΩ 三相桥式电源模块,采用A 双列直插式封装 (DIP)。
发布日期: 2024-08-02
| 更新日期: 2026-04-20