onsemi NVXK2TR40WXT碳化硅(SiC)模块

安森美 (onsemi) NVXK2TR40WXT碳化硅(SiC)模块是一款1200V、40mΩ、27A双半桥EliteSiC电源模块,采用APM32双列直插式封装(DIP)。 该SiC模块设计紧凑,总模块电阻较低。NVXK2TR40WXT电源模块已通过AEC-Q101和AQG324车规级认证。 该电源模块不含铅,符合RoHS和UL94V-0标准。NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET电源模块是xEV应用中DC-DC转换器与车载充电器的理想选择。

特性

  • DIP碳化硅 (SiC) 双路半桥电源模块
  • 漏源电压(VDSS):1200V
  • 连续漏极电流(ID):27A
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)):40mΩ(典型值)
  • 工作结温范围(TJ):-55°C至175°C
  • 爬电距离和电气间隙符合IEC60664-1和IEC 60950-1标准
  • 设计紧凑,实现低模块总电阻
  • 模块串行化,实现完全可追溯性
  • 无铅
  • 符合RoHS指令和UL94V-0标准
  • 符合AEC-Q101和AQG324的汽车级标准

应用

  • 用于EV-PHEV的HV DC/DC和车载充电器
  • 适用于EV-PHEV的11kW至22kW车载充电器

SiC MOSFET半桥模块

onsemi NVXK2TR40WXT碳化硅(SiC)模块
发布日期: 2024-08-02 | 更新日期: 2026-04-20