onsemi NXH008T120M3F2PTHG碳化硅 (SIC) 模块
安森美（onsemi）NXH008T120M3F2PTHG碳化硅 (SIC) 模块是基于1200V M3S平面碳化硅MOSFET的T型中性点钳位转换器 (TNPC) 。 NXH008T120M3F2PTHG经过优化，适用于快速开关应用。 平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该模块采用20V栅极驱动时具有最佳性能，但也可搭配18V栅极驱动使用。
特性
- 8mΩ、1200V M3S碳化硅MOSFET TNPC拓扑
- HPS DBC
- 热敏电阻器
- 带或不带预涂热界面材料 (TIM) 的选项
- 带可焊接引脚和压配引脚的选项
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 电动汽车充电站
- 工业电源
规范
- 碳化硅MOSFET
- 零栅极电压漏极电流：300µA（最大值）
- 典型漏极－源极导通电阻：8.5mΩ至15mΩ
- 栅极－源极阈值电压：1.8V至4.4V
- 栅极漏电流：± 600nA
- 典型电容
- 9129pF输入
- 39pF反向传输
- 493pF输出
- 典型总栅极电荷：454nC
- 典型栅极－源极电荷：43nC
- 典型栅极－漏极电荷：101nC
- 典型导通延迟：41.5ns
- 典型上升时间：20.6ns
- 典型关闭延迟时间：137ns
- 15ns 下降时间
- 每脉冲典型开关损耗
- 导通：0.60mJ
- 关断：0.26mJ
- 二极管正向电压：4.0V至4.8V
- 典型热阻
- 芯片对外壳：0.256°C/W
- 0.451°C/W chip-to-heatsink
- 热敏电阻器
- 标称电阻范围：5kΩ至159.5Ω
- R100偏差：±5%
- 典型耗散功率
- 建议限值：0.1mW
- 绝对最大值：34.2mW
- 耗散系数：1.4mW/K
- 典型B值：±2%容差
- B(25/50)：3375K
- B(25/100)：3436K
- TIM层厚度：160µm ±20µm
- 绝缘
- 最大隔离测试电压：4800VRMS，持续1秒（60Hz时）
- 最大爬电距离：12.7mm
- 最大CTI：600
- HPS基板陶瓷材料，厚0.38mm
- 最大基板弯曲度：0.18mm
- 工作结温范围：-40°C至+150°C
原理图
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发布日期: 2023-12-19
| 更新日期: 2024-07-31