onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块
安森美 (onsemi) NXH010P120MNF1碳化硅模块在F1模块中包含一个10mΩ 1200V碳化硅MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。该模块的建议栅极电压为18V-20V。NXH010P120MNF1在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。
特性
- 推荐栅极电压：18V至20V
- 在更高电压下改进RDS(ON)
- 低热阻
- 效率更高或功率密度更高
- 可选择有TIM或无TIM
- 用于高可靠性热接口的灵活解决方案
应用
- 交流-直流转换
- 直流-交流转换
- 直流-直流转换
原理图
相关模块
onsemi NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块
包含基于半桥拓扑的8mΩ 、10mΩ 、15mΩ 和30mΩ/1200V M3S MOSFET。
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发布日期: 2022-05-11
| 更新日期: 2024-07-31