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onsemi T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低RDS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低QRR 和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。

特性

  • 低RDS(on)，可将导通损耗降至最低
  • 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
  • 低QRR，软恢复体二极管
  • 漏极-源极电压：40 V和80 V
  • 工作结温与存放温度范围：-55°C至175°C
  • 引脚焊接温度：260°C
  • 无铅、无卤/无BFR
  • 符合RoHS标准

应用

  • DC−DC和AC−DC中的同步整流（SR）
  • 隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关
  • 电池保护
  • 电机驱动器

N沟道MOSFET

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物料编号 数据表 下降时间 正向跨导 - 最小值 Id-连续漏极电流 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间 Vds-漏源极击穿电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Vgs - 栅极-源极电压 封装 封装 / 箱体 RoHS - 贸泽
NTMFS1D7N04XMT1G NTMFS1D7N04XMT1G 数据表 17 ns 77 S 154 A 75 W 29 nC 1.65 mOhms 13 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTTFS5D6N08XLTAG NTTFS5D6N08XLTAG 数据表 3 ns 113 S 79 A 82 W 14 nC 5.3 mOhms 3 ns 24 ns 10 ns 80 V 2.1 V 20 V Reel WSFN-8 Y
NTBLS1D1N08XTXG NTBLS1D1N08XTXG 数据表 152 ns 294 S 299 A 197 W 120 nC 1.1 mOhms 118 ns 40 ns 22 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel H-PSOF-8L Y
NTMFS4D0N04XMT1G NTMFS4D0N04XMT1G 数据表 9 ns 32 S 80 A 43 W 12 nC 3.9 mOhms 8 ns 10 ns 7 ns 40 V 3.5 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS4D5N08XT1G NTMFS4D5N08XT1G 数据表 30 ns 61 S 94 A 82 W 15 nC 4.5 mOhms 24 ns 16 ns 11 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
NTMFS6D2N08XT1G NTMFS6D2N08XT1G 数据表 24 ns 48 S 73 A 68 W 19 nC 6.2 mOhms 19 ns 15 ns 10 ns 80 V 3.6 V 20 V Reel DFN-5 Y
发布日期: 2025-09-29 | 更新日期: 2025-10-06