onsemi UF3N170400B7S 1700V-400mW碳化硅常开型JFET

Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW碳化硅常开JFET具有超低导通电阻（R_DS(ON)）和栅极电荷（Q_G），可实现低导通和开关损耗。该JFET在V_GS = 0V时具有低R_DS(ON) 值，非常适用于无需主动控制和共源共栅操作的电流保护电路。UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常开JFET具有低栅极电荷和低本征电容。此FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，采用D²PAK-7L封装，符合RoHS指令，无卤素且无铅。典型应用包括过流保护电路、直流-交流逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动器和感应加热。