新款栅极驱动器

安森美 (onsemi) NCV84003G高侧电子保险丝 (eFuse) 是一款完全受保护的单通道高侧驱动器,可以替代机械保险丝,并在智能电源分配架构中提供电源。它还可以开关各种负载,例如大容量电容器、灯泡、螺线管和其他执行器。该器件集成了设计用于区域性应用的先进功能,例如智能低功耗空闲模式、专用电容负载充电模式、可调节过电流阈值以及用于替代传统保险丝的内置I2t曲线配置。该设备还具有过温关闭功能,自动断开。安森美 (onsemi) NCV84003G上的电流检测引脚可提供精确的模拟电流监控、故障指示以及内部配置和I2t状态的回读。
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onsemi NCV84003G高侧电子保险丝该设备可以替代机械保险丝,并在智能电源分配架构中提供电源。2026/6/25 -
STMicroelectronics L98GD8E 8通道MOSFET预驱动器该设备可配置为低侧、高侧、峰值和保持以及H桥负载控制。2026/5/29 -
RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案提供适用于能源、工业和医疗应用的理想元器件。2026/4/24 -
RECOM Power RVP Primary-Side Power ICsSupports input voltages up to 30V and is available in various topologies to meet system needs.2026/4/1 -
onsemi FAD1100-F085点火栅极驱动器IC直接驱动点火IGBT,并调节线圈电流和产生的火花事件。2026/3/3 -
Microchip Technology MCP14T0517推挽变压器驱动器设计用于紧凑型隔离式电源,由3VDC至5.5VDC输入工作。2026/2/2 -
Texas Instruments UCC2773x/-Q1半桥栅极驱动器提供3.5A拉电流和4A灌电流能力,设计用于驱动功率MOSFET和IGBT。2026/1/29 -
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1低侧栅极驱动器此系列器件可有效驱动MOSFET、IGBT及SiC功率开关。2025/12/24 -
STMicroelectronics STDRIVEG612 600 V半桥栅极驱动器一款半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。2025/12/19 -
STMicroelectronics STDRIVEG212 220 V半桥栅极驱动器一款半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。2025/12/19 -
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 栅极驱动器设计用于需要快速响应和大电流能力的开关应用。2025/11/19 -
Toshiba TB9084FTG汽车级栅极驱动器集成电路设计用于汽车无刷电机,配备充电泵和几种类型的电路。2025/11/19 -
STMicroelectronics STSID140-12 SMD隔离晶闸管驱动器专为工业和消费电子应用中的电力晶闸管提供强大、高效的触发功能而设计。2025/10/28 -
Texas Instruments UCC27212A-Q1栅极驱动器一款车规级驱动器,设计用于在各类应用中实现高效率和稳健性能。2025/10/9 -
Texas Instruments UCC21351x-Q1 栅极驱动器让各种电源应用能有高效率、大功率密度和高鲁棒性。2025/10/9 -
Infineon Technologies EiceDRIVER 1ED301xMC12I栅极驱动器IC适用于IGBT、Si或SiC MOSFET的光电兼容、电气隔离单通道栅极驱动器。2025/9/30 -
Texas Instruments LMG3626 700 V 220 mΩ GaN FET将栅极驱动器、保护和电流检测功能整合在单个8mm x 5.3mm QFN封装中。2025/9/29 -
Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥它简化了设计、减少了元器件数量,并节省了电路板空间,采用6mm x 8mm QFN封装。2025/9/9 -
IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。2025/9/4 -
STMicroelectronics STDRIVEG210半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可以承受高达220V电压轨。2025/8/28 -
STMicroelectronics STDRIVEG211半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可以承受高达220V电压轨。2025/8/28 -
STMicroelectronics L98GD8汽车MOSFET预驱动器可配置为低侧、高侧、峰值和保持以及H桥负载控制。2025/8/18 -
EPC EPC23102 100V 35A ePower™ Stage ICCombines core blocks and eGaN® output FETs into a single monolithic IC in a 3.5mm x 5mm QFN package.2025/8/1 -
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1双通道栅极驱动器这些器件可有效驱动MOSFET、IGBT和SiC电源开关。2025/6/19 -
ROHM Semiconductor BD16951EFV-M双通道半桥栅极驱动器具有四个 外部MOSFET,可独立控制,最大SPI时钟为7MHz。2025/6/10 -
