ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管可提供600V的击穿电压，这个值远超过了硅SBD（肖特基势垒二极管）的上限。AEC-Q101二极管采用SiC材料，是PFC电路和逆变器的理想选择。此器件采用的技术降低了反向恢复电荷与开关损耗，可以最大程度缩小终端产品尺寸。它拥有650V-1200V的反向电压范围，1.2uA-260uA的连续正向电流，以及48W-280W的总功耗，采用TO-220、TO-247和TO-263封装，可在最高+175°C的高温环境下工作。
特性
- 符合AEC-Q100汽车应用标准
- 几乎没有温度依赖性
- 高速开关
- 低开关损耗
- 快速恢复
应用
- 汽车
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- UPS
- 电动汽车充电器
视频
SBD电压图表
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ROHM Semiconductor SiC肖特基势垒二极管
较低的电容电荷可减少开关损耗，实现高速开关操作。
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| 物料编号 | 数据表 | If - 正向电流 | Ifsm - 正向浪涌电流 | Ir - 反向电流 | 封装 / 箱体 |
|---|---|---|---|---|---|
| SCS208AJHRTLL |  |
8 A | 30 A | 160 uA | TO-263AB-3 |
| SCS220AE2HRC11 | |
20 A | 76 A | 200 uA | TO-247N-3 |
| SCS240AE2HRC11 | |
40 A | 130 A | 400 uA | TO-247N-3 |
| SCS210KE2HRC11 | |
10 A | 45 A | 100 uA | TO-247N-3 |
| SCS206AJHRTLL | |
6 A | 23 A | 120 uA | TO-263AB-3 |
| SCS210AJHRTLL | |
10 A | 38 A | 200 uA | TO-263AB-3 |
| SCS215AJHRTLL | |
15 A | 52 A | 300 uA | TO-263AB-3 |
| SCS212AJHRTLL | |
12 A | 43 A | 240 uA | TO-263AB-3 |
| SCS220AJHRTLL | |
20 A | 68 A | 400 uA | TO-263AB-3 |
| SCS220KE2HRC11 | |
20 A | 84 A | 200 uA | TO-247N-3 |
发布日期: 2019-03-22
| 更新日期: 2024-01-24