ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 评估套件
ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003评估套件是一个紧凑高效的平台，设计用于评估 BM3G005MUV 650V GaN功率级IC，在单一封装中集成了高速栅极驱动器和氮化镓高电子迁移率晶体管。该ROHM Semiconductor评估板支持高频开关，优化用于测试 硬开关拓扑，如 图腾柱功率因数校正（PFC）和 半桥转换器。该套件使用户能够评估关键性能指标，包括开关行为、热特性和EMI性能。BM3G005MUV-EVK-003套件外形小巧、功率密度高，非常适用于开发效率、速度和节省空间至关重要的下一个 交流-直流和直流-直流转换器、 电信电源、 工业电源系统和 紧凑型适配器。
特性
- BM3G005MUV GaN FET，650V、50mΩ
- 电源电压范围：6.83 V至35 V
- 漏极电压：650 V
- 最大VDD 静态电流：0.24mA
- 导通转换率：22V/ns（典型值）
- 工作温度范围：-40 °C至+105 °C
- 输入阈值
- 正向范围：2.35V至3.05V
- 负向范围：0.87V至1.53V
- 可替代传统的分立电源开关，如超级结MOSFET
- 尺寸：19 mm x 22 mm
应用
- 交流-直流和直流-直流转换器
- PFC电路
- 适配器和充电器
- 电信和服务器电源
- 可再生能源系统
必要设备
- 直流电源（400VDC 、100W或更高）
- 直流电源（30VDC 、10W或更高）
- 示波器
- 振荡器
测量电路
接线图
原理图
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发布日期: 2025-05-13
| 更新日期: 2025-06-01