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ROHM Semiconductor QH8J P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor QH8J Pch功率MOSFET具有低导通电阻，采用A 大功率小型模具封装（TSMT8）。罗姆提供从小信号产品到800 V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。

特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 (TSMT8)
  • 无铅电镀；符合RoHS指令
  • 无卤素

应用

  • 开关

系列

ROHM Semiconductor QH8J P沟道功率MOSFET

市场应用

ROHM Semiconductor QH8J P沟道功率MOSFET

改善了导通电阻

ROHM Semiconductor QH8J P沟道功率MOSFET

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物料编号 数据表 描述 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻
QH8JE5TCR QH8JE5TCR 数据表 MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET 100 V 2 A 270 mOhms
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QH8JC5TCR QH8JC5TCR 数据表 MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET 60 V 3.5 A 91 mOhms
发布日期: 2021-01-26 | 更新日期: 2024-02-05