ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管设计用在开关电源中，具有100A峰值正向浪涌电流。这些二极管具有高可靠性、低正向电压和40A的平均整流正向电流。RBR40NS肖特基势垒二极管提供有重复峰值反向电压为30V、40V和60V的三种版本。这些二极管设计采用硅外延平面型构造，采用TO-263AB (D2PAK) 封装。RBR40NS肖特基势垒二极管符合RoHS标准，工作在-55°C至+150°C温度范围内。
特性
- 高可靠性
- 功率模压成型类型
- 共阴极双二极管类型
- 低正向电压 (VF)
- 硅外延平面结构
- 100A峰值正向浪涌电流 (IFSM)
- 40A平均整流正向电流 (ID)
- 符合RoHS标准
- 150°C结温
- -55°C至+150°C存放温度范围
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| 物料编号 | 数据表 | If - 正向电流 | Ifsm - 正向浪涌电流 | Ir - 反向电流 | Vf - 正向电压 | Vr - 反向电压 | Vrrm - 重复反向电压 | 最大工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBR40NS30ATL |  |
40 A | 100 A | 600 uA | 520 mV | 30 V | 30 V | + 150 C |
| RBR40NS40ATL | |
40 A | 100 A | 430 uA | 550 mV | 40 V | 40 V | + 150 C |
| RBR40NS60ATL | |
40 A | 100 A | 800 uA | 600 mV | 60 V | 60 V | + 150 C |
发布日期: 2025-07-22
| 更新日期: 2025-08-04