ROHM Semiconductor RBRxx30ATL低VF型肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBRxx30ATL肖特基势垒二极管是共阴极双型低正向电压 (V
F) 二极管,具有30V反向直流电压 (V
R)。j这些二极管采用硅外延平面型结构制造,采用TO-263S (D
2PAK) 或TO-252 (DPAK) 封装。ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ势垒二极管具有低正向电压 (V
F) 和高可靠性,工作温度范围为-55°C至+150°C。这些肖特基势垒二极管非常适合用于开关电源和一般整流。
特性
- 低正向电压 (VF) 和高可靠性
- 反向直流电压 (VR):30V
- 阴极常见双类型
- 硅外延平面型结构
- TO-263S (D2PAK) 或TO-252 (DPAK) 封装
- 温度范围:-55 °C至+150 °C
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采用硅外延平面型结构制造而成,具有低正向电压 (VF) 和高可靠性。
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发布日期: 2020-12-16
| 更新日期: 2024-10-31