ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ低VF型肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ肖特基势垒二极管是共阴极双型二极管,采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造而成,工作温度范围为-55°C至+150°C。ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ势垒二极管具有低正向电压 (VF) 和高可靠性。这些肖特基势垒二极管非常适合用于开关电源和一般整流。

特性

  • 高可靠性
  • 低正向电压 (VF)
  • 共阴极双型
  • 硅外延平面型结构
  • TO-220FN 封装
  • 温度范围:-55 °C至+150 °C

应用

  • 一般整流
  • 开关电源

二极管结构和尺寸 (mm)

机械图纸 - ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ低VF型肖特基势垒二极管
发布日期: 2020-12-10 | 更新日期: 2024-10-31