ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ低VF型肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ肖特基势垒二极管是共阴极双型二极管,采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造而成,工作温度范围为-55°C至+150°C。ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ势垒二极管具有低正向电压 (V
F) 和高可靠性。这些肖特基势垒二极管非常适合用于开关电源和一般整流。
特性
- 硅外延平面型结构
- TO-220FN 封装
- 温度范围:-55 °C至+150 °C
相关产品
采用硅外延平面型结构制造而成,具有低正向电压 (VF) 和高可靠性。
共阴极二极管,具有低正向电压 (VF)、高可靠性和硅外延平面结构。
发布日期: 2020-12-10
| 更新日期: 2024-10-31