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ROHM Semiconductor RS3 P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS3 P沟道功率MOSFET具有低导通电阻，采用小型表面贴装封装。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。

特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 (SOP8)
  • 无铅电镀；符合RoHS指令

应用

  • 开关

系列

ROHM Semiconductor RS3 P沟道功率MOSFET

市场应用

ROHM Semiconductor RS3 P沟道功率MOSFET

改善了导通电阻

ROHM Semiconductor RS3 P沟道功率MOSFET

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物料编号 数据表 描述 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 数据表 MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 40 V 16 A 6.2 mOhms
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 数据表 MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -11.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 60 V 11 A 12.8 mOhms
发布日期: 2021-01-26 | 更新日期: 2022-03-11