ROHM Semiconductor SCT4018KR N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款坚固耐用的设备，优化用于要求苛刻的应用中的高效电源转换。 ROHM SCT4018KR的漏源电压额定值为1200V、漏极连续电流为81A（+25°C时），在高压环境中性能出色。该设备具有18mΩ 的低典型导通电阻，并支持快速开关速度，可以显著减少开关损耗，提高整体系统效率。SCT4018KR设备采用TO-247-4L封装，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器和电机驱动器。SCT4018KR MOSFET充分利用了SiC技术的优势，具有出色的导热性、高温操作性能和增强的可靠性，使其成为紧凑型高性能电源系统的理想之选。