ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款高性能汽车等级设备，适用于苛刻的汽车环境。 ROHM SCT4062KWAHR的漏源电压额定值高达1200V，漏极连续电流为24A（+25°C 时），因此该MOSFET非常适合用于高压、高效的电源转换系统。SCT4062KWAHR的典型导通电阻为62mΩ，可最大限度地减少传导损耗并支持快速开关，从而有助于减少功率损耗并提高热性能。该设备采用TO-263-7LA格式封装，具有出色的热耗散，易于集成到紧凑型电源模块中。SCT4062KWAHR非常适合用于电动汽车 (EV) 应用，如牵引逆变器、车载充电器和DC-DC 转换器，在这些应用中，可靠性、效率和热稳定性至关重要。