Vishay / Siliconix SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix SiJK140E N沟道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET® 第五代功率技术。该MOSFET优化了功率效率，RDS(on) 可最大限度地降低导通期间的功率损耗，确保高效运行。SiJK140E MOSFET 100%经过Rg 和UIS测试。该功率MOSFET可增强功率耗散并降低热阻（RthJC）。典型应用包括同步整流、自动化、OR-ing和热插拔开关、电源、电机驱动控制和电池管理。
特性
- TrenchFET® 第五代功率技术
- 领先的RDS(on) 可最大限度地降低导通时的功耗
- 100%经Rg 和UIS测试
- 标准级FET
- 增强功率耗散，降低RthJC
规范
- 40 V漏源电压
- 栅极-源极电压：±20VGS
- 工作温度范围：-55 °C至175 °C
- PowerPAK® 10mmx12mm封装
- 无铅、无卤
应用
- 同步整流
- 自动化
- OR-ing和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
相关MOSFET
Vishay / Siliconix 采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET
具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。
发布日期: 2024-05-31
| 更新日期: 2025-05-09