STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET
STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET优化用于ZVS、全桥和半桥拓扑。MDmesh DM6功率MOSFET具有600V击穿电压，将经优化的电容曲线和终身破坏工艺相结合。MDmesh DM6 MOSFET具有低栅极电荷 (Qg)、非常低的恢复电荷 (Qrr)、较短恢复时间 (trr) 以及出色的每区域RDS(on)。
特性
- 超低的每区域RDS(on)、低栅极电荷 (Qg) 以及非常低的恢复电荷 (Qrr)
- 经优化的电容曲线，适用于轻负载条件
- 极高dV/dt
- 经优化的体二极管恢复相位
- 经优化的柔软度
- 极高的效率性能和更高的功率密度
- 在ZVS、全桥和半桥拓扑中实现更加强大的功率转换
- 较高的运行频率和出色的热管理
- 低EMI
应用
- 电动汽车充电站
- LED照明
- 电信
- 服务器
- 太阳能逆变器
系列电平示意图
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| 更新日期: 2023-02-23