STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。该器件采用了创新的超结MDmesh DM9技术，提供一种多漏极制造工艺，从而可以增强器件结构。
STM STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET具有非常低的电荷回收量（Qrr）、时间（trr）和RDS(on)。快速开关超级结功率MOSFET量身定制的这些特性使其非常适用于最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS相移转换器。
特性
- 快速恢复体二极管
- 在硅基快速恢复器件中具有出色的单位面积RDS(on)
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%经雪崩测试
- 极高dv/dt耐受性
应用
- 电源和转换器
- LLC谐振转换器
典型应用
相关功率MOSFET
STMicroelectronics MDmesh™ M9 MOSFET
具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。
助您完成设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2022-05-18
| 更新日期: 2026-01-21