STMicroelectronics STP65N150M9功率MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。该器件适合用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积R_DS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，实现了增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，该器件非常适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。