STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术基于STMicroelectronics在超级结技术领域的20年经验。因此，其具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合用于需要出色功率密度和高效率的应用。
特性
- 出色的RDS(on) x区域
- 出色的FOM（品质因数）
- 超低栅极电荷
- 100%经雪崩测试
- 齐纳保护
应用
- 反激式转换器
- 用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
- LED照明
绝对最大额定参数
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该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
完成您的设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2022-10-17
| 更新日期: 2024-06-25