返回STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

特性

  • MDmesh K6 技术
  • 超低栅极电荷
  • 100%经雪崩测试
  • 齐纳保护

规范

  • 漏极-源极击穿电压：800V（最小值）
  • ±30V栅极-源极电压
  • 峰值二极管恢复电压斜率：5V/ns
  • 100A/s峰值二极管恢复电流斜率
  • 120V/ns MOSFET dv/dt耐受性
  • 工作结温范围：-55°C至150°C

应用

  • 笔记本电脑和AIO
  • 反激式转换器
  • 平板电脑适配器
  • LED照明

测试电路

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET

相关MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET

采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。

Learn More关于STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET相关

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET

采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。

Learn More关于STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET相关

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。

Learn More关于STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET相关

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET

基于MDmesh K6技术，具有超低栅极电荷和出色的RDS(on) x 面积。

Learn More关于STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET相关

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET

具有出色的RDS(on) x 面积和低Qg，可实现高开关速度和低损耗。

Learn More关于STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET相关

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET

提供一种极高电压的N通道电源解决方案，采用终极MDmesh K6技术。

Learn More关于STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET View Products与STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET相关

STMicroelectronics 功率MOSFET

-500V到1500V的宽击穿电压范围。

Learn More关于STMicroelectronics 功率MOSFET

助您完成设计

STMicroelectronics 标准产品

各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。

Learn More关于STMicroelectronics 标准产品 View Products与STMicroelectronics 标准产品相关
View Results ( 12 ) Page
物料编号 数据表 安装风格 封装 / 箱体 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散 通道模式 封装 下降时间 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
STD80N340K6 STD80N340K6 数据表 SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 12 A 340 mOhms 17.8 nC 92 W Enhancement Reel 11 ns 4.9 ns 34 ns 13 ns
STF80N240K6 STF80N240K6 数据表 Through Hole TO-220FP-3 16 A 220 mOhms 25.9 nC 27 W Enhancement Tube 12 ns 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
STF80N1K1K6 STF80N1K1K6 数据表 Through Hole TO-220FP-3 5 A 1.1 Ohms 5.7 nC 21 W Enhancement Tube 14 ns 4.3 ns 22 ns 7.4 ns
STF80N600K6 STF80N600K6 数据表 Through Hole TO-220FP-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 23 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STD80N240K6 STD80N240K6 数据表 SMD/SMT 16 A 220 Ohms 25.9 nC 105 W Enhancement Reel
STD80N450K6 STD80N450K6 数据表 SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 10 A 450 mOhms 17.3 nC 83 W Enhancement Reel 12.7 ns 4 ns 28.8 ns 10.6 ns
STP80N1K1K6 STP80N1K1K6 数据表 Tube
STP80N600K6 STP80N600K6 数据表 Through Hole TO-220-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 86 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STP80N450K6 STP80N450K6 数据表 Through Hole TO-220-3 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STP80N240K6 STP80N240K6 数据表 Through Hole TO-220-3 10 A 220 mOhms 25.9 nC 140 W Enhancement Tube 12 s 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
发布日期: 2024-06-25 | 更新日期: 2026-01-21