STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。
特性
- RDS(on)* Qg行业基准
- 非常低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐受性
- 低栅极驱动功率损耗
- 非常低的开关栅极电荷
应用
- 工业
- 电机控制：手持式工具、风扇控制、小家电、电动自行车、BLDC、牵引、叉车、绿色汽车
- DC-AC和DC-DC (SMPS)、医疗、UPS、家电
- 服务器用SMPS、太阳能和台式机、交流/直流转换器、电池充电器、适配器、焊接、计量
- 照明：CFL、HID、HF镇流器、投射灯、3 0辅助电源
- 电池保护
- 升压和微型逆变器
- 汽车
- 安全和底盘：车窗升降控制器、电子驻车制动
- 动力传动系：泵控制、变速箱
- 车身电子装置：雨刮、天窗
相关产品
STMicroelectronics STripFET™ 功率 MOSFET
具有大电流和低 RDS(on) 的特点，符合汽车和工业开关应用的要求。
STMicroelectronics STripFET III™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET。
STMicroelectronics STripFET V™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET
Development Tools
STMicroelectronics STEVAL-ETH001V1伺服驱动器评估板
设计用于满足面向多轴位置控制和连接的三相PMSM应用的需求。
助您完成设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2019-01-16
| 更新日期: 2023-09-18