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STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET提供一种极高电压的N通道电源解决方案，采用终极MDmesh K6技术。这项K6技术基于STMicroelectronics在超级结领域20年的经验。因为这项技术使得STMicro STP80N600K6具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合需要优异功率密度和高效率的应用。

特性

  • 全球最佳RDS(on) x 面积
  • 全球最佳FOM（品质因数）
  • 超低栅极电荷
  • 100%经雪崩测试
  • 齐纳保护

应用

  • 反激式转换器
  • 平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
  • LED灯

规范

  • VDS ：800V
  • 最大600mΩ RDS(on)
  • 7A ID

典型应用

应用电路图 - STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET

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发布日期: 2023-05-01 | 更新日期: 2024-06-25