Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET
Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET是一款N沟道200VDS 器件，配备采用ThunderFET技术的TrenchFET® 。该ThunderFET® MOSFET优化了RDS(on)、QG、Qsw和Qoss的平衡。该器件100%通过了Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。该SISS94DN MOSFET采用PowerPAK 1212-8S封装，无铅、无卤 (SiSS94DN-T1-GE3)。该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，采用单一配置。典型应用包括一次侧开关、同步整流、直流/直流拓扑、照明、负载开关和电机驱动控制。
特性
- 采用ThunderFET®技术的TrenchFET实现了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的最佳平衡
- 领导力RDS(on)
- 经100% Rg和UIS测试
应用
- 一次侧开关
- 同步整流
- 直流/直流拓扑
- 照明
- 负载开关
- 升压转换器
- 电机驱动控制
规范
- 漏极-源极电压 (VDS)：200V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))：
- 0.075Ω（最大值，VGS=10V时）
- 0.078Ω（最大值，VGS=7.5V时）
- 总栅极电荷 (QG)：11nC（典型值）
- 输出电荷 (Qoss)：29nC（典型值）
- 连续漏极电流 (ID)：19.5A
- 工作温度范围：-55°C至150°C
典型输出特征
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发布日期: 2020-09-25
| 更新日期: 2024-12-23