Wolfspeed SiC MOSFET C3M™(采用TOLL封装)

Wolfspeed SiC MOSFET C3M™(采用TOLL封装)与标准硅MOSFET相比,导通电阻温度相关性要低得多。该MOSFET器件具有出色的开关速度和低导通损耗,这对于下一代电源在高功率下实现高效率至关重要。这些SiC MOSFET优化用于高性能电力电子应用,包括企业、服务器和电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统和电池管理系统。

Wolfspeed SiC MOSFET C3M采用TOLL封装,实现了TOLL封装的紧凑尺寸、低损耗和高功耗能力,支持高功率密度设计。

特性

  • 通过尺寸较大的后面金属片,可降低器件温度
  • 与标准TO-263-7L封装相比,高度更低,占位面积更小
  • 与标准TO-263-7L封装相比,源电感更低
  • 非常适合用于更高开关频率应用(实现高功率密度)
  • 最小爬电距离:3.5mm(漏极-源极)

TOLL与D2PAK

Wolfspeed SiC MOSFET C3M™(采用TOLL封装)

目标应用

Wolfspeed SiC MOSFET C3M™(采用TOLL封装)
发布日期: 2022-10-13 | 更新日期: 2024-10-22