Wolfspeed SiC MOSFET C3M采用TOLL封装,实现了TOLL封装的紧凑尺寸、低损耗和高功耗能力,支持高功率密度设计。
特性
- 通过尺寸较大的后面金属片,可降低器件温度
- 与标准TO-263-7L封装相比,高度更低,占位面积更小
- 与标准TO-263-7L封装相比,源电感更低
- 非常适合用于更高开关频率应用(实现高功率密度)
- 最小爬电距离:3.5mm(漏极-源极)
TOLL与D2PAK
目标应用
发布日期: 2022-10-13
| 更新日期: 2024-10-22

