NXP Semiconductors GD3162高级IGBT/SiC栅极驱动器
NXP Semiconductors GD3162高级IGBT/SiC栅极驱动器设计用于驱动xEV牵引逆变器中的SiC和IGBT模块。NXP Semiconductor GD3162驱动器通过先进的栅极驱动功能节省空间并提高性能。该器件包括集成电流隔离、可编程SPI接口以及过热、去饱和和电流检测保护等高级保护特性。GD3162集成了升压功能，可直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块栅极。
特性
- 集成升压功能将驱动能力增加到10A/20A/30A拉/灌电流
- 最大VCC 输出电压：25V
- 可编程ADC延迟：从PWM上升沿或下降沿采样延迟长达8μs
- 集成的高压温度感测 (TSENSE)，用于NTC热敏电阻或二极管传感器，具有可编程失调和增益
- 快速VCE DeSat检测和反应时间：<1µs (SiC)
- 改进的PWM死区时间范围可降低开关损耗 (SiC)
- 可编程的两级关断 (2LTO) 和软关机 (SSD)
- 提供MCU控制或安全逻辑控制的栅极驱动，为DC链路电容器进行有效放电
- 附加可编程故障引脚 (INTA)
- 集成HV故障管理 (FSISO)
- 可编程VCE 输出监控
- 最小共模瞬态抗扰度 (CMTI)：>100V/ns
- 电流隔离：5000Vrms，符合UL1577标准（已计划）
应用
- 电动汽车 (EV) 牵引逆变器
- 混合动力电动汽车 (HEV)
- 电机驱动器
视频
方框图
评估板
NXP Semiconductors RDGD3162I3PH5EVB评估板
功能齐全的评估板，预装有六个 GD3162 栅极驱动器。
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半桥评估套件
具有两个GD3162单通道IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器。
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发布日期: 2024-02-23
| 更新日期: 2024-12-17