NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管
NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管是超耐用型N通道增强模式横向MOSFET，设计用于提供高达250MHz性能。这些晶体管集成了ESD保护特性，具有更宽的负栅-源极电压范围，可改善C类运算。这些晶体管提供两个引脚分配版本，这两个版本可以彼此镜像以支持推挽配置，从而进一步提高灵活性。MRF101晶体管非常适合用于高电压驻波比 (VSWR) 工业、科学和医疗应用。
特性
- 镜像引脚分配版本（A和B），可简化推挽式双向配置
- 集成了ESD保护特性，具有更宽的负栅-源极电压范围，可改善C类运算。
- 工作温度范围：-40°C至150°C
- 工作电压范围：30V至50V
- 适合线性应用
- TO-220-3L封装
应用
- 工业、科技和医疗 (ISM)：
- 激光生成
- 等离子刻蚀
- 颗粒加速器
- MRI和其他医疗应用
- 工业加热、焊接和烘干系统
- 广播：
- 无线电广播
- VHF TV广播
- 移动无线电：
- VHF基站
- HF和VHF通信
- 开关模式电源
其他资源
开发工具
NXP Semiconductors MRF101AN参考电路
用于对MRF101AN 100W射频功率晶体管进行快速评估和原型设计。
相关产品
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发布日期: 2018-12-03
| 更新日期: 2022-10-17