onsemi NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET

与硅器件相比，安森美半导体NTHL080N120SC1A N沟道MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。安森美半导体NTHL080N120SC1A MOSFET具有高效率、快速工作频率、高功率密度、低EMI以及较小的系统尺寸等特性。典型应用包括不间断电源 (UPS)、直流/直流转换器、升压逆变器、功率因数校正 (PFC)、光伏 (PV) 充电、太阳能逆变器、服务器电源和网络电源。