onsemi M1 EliteSiC MOSFET
onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。 onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。
特性
- 电压：1200V和1700V
- D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、裸片封装
- +22V/-10V最大栅源电压
- 低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）
- 平衡开关损耗和导通损耗
- 可用于替代1200V IGBT
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发布日期: 2023-04-04
| 更新日期: 2024-08-29