onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET
安森美 (onsemi) NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET与硅器件相比，具有更好的开关性能和更高的可靠性。此MOSFET具有1200V漏极-源极电压 (VDSS) 和19.5A最大漏极电流 (ID)。NVBG160N120SC1 MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。此MOSFET具有高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低电磁干扰 (EMI)，以及更小的系统尺寸等特性。安森美 (onsemi) NVBG160N120SC1 MOSFET符合汽车应用标准，例如汽车车载充电器和用于电动汽车 (EV)/混合动力汽车 (HEV) 的DC/DC转换器，符合AEC-Q101标准。
特性
- 与硅器件相比，具有更好的开关性能和更高的可靠性
- 漏极-源极电阻 (RDS(on) )：160mΩ（典型值）
- 漏极-源极电阻 (V(BR)DSS)：1200V
- 漏极电流 (ID)：19.5A（最大值）
- 超低栅极电荷 (QG(tot))：33.8nC
- 低有效输出电容 (COSS)：50.7pF（典型值）
- 符合汽车应用类AEC-Q101标准
- 100% 经雪崩测试
应用
- 汽车
- 板载充电器
- EV/HEV用DC/DC转换器
- 逆变器
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发布日期: 2020-09-18
| 更新日期: 2024-08-23