onsemi SuperFET® III MOSFET
安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。
特性
- TJ = 150°C时电压为700V
- 低RDS(ON)
- 低峰值漏源极电压
- 低栅极电荷
- 低有效输出电容
- 100%雪崩测试
- NV前缀表示器件符合AEC-Q100标准并支持PPAP，适用于需要独特现场及控制变更要求的汽车及其他应用
- 封装选项：D2PAK-3、DPAK-3、Power-88-4、TO-220-3、TO-247-3、TO-252-3和TO-263-3
- 符合RoHS标准
应用
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 电动汽车充电器
- 不间断电源 (UPS)/太阳能
视频
硬开关应用概览
性能图
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onsemi SUPERFET III® 650V N通道MOSFET
非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和高效率。
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发布日期: 2016-03-29
| 更新日期: 2025-03-04