onsemi SUPERFET III® 650V N通道MOSFET

安森美半导体SUPERFET III® 650V 190mΩ N通道MOSFET非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和高效率。该器件采用电荷平衡技术，实现了低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术专门设计用于最大限度降低导通损耗、提供出色的开关性能以及承受极端dv/dt比。SUPERFET III® 650V 190mΩ N通道MOSFET非常适合用于混合动力电动汽车的汽车车载充电器和直流/直流转换器。